绝缘栅型场效应管用途_绝缘栅型场效应管用途

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海得控制:公司业务不涉及IGBT半导体行业原器件的研发与制造金融界2月20日消息,有投资者在互动平台向海得控制提问:亲爱的董秘,你好。请问海得控制研发或生产IGBT整流器吗?公司回答表示:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,涉及半导体行业多个领域。IG...

三星取得电绝缘扩散中断区专利,提高器件隔离性能金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“具有电绝缘扩散中断区的鳍式场效应晶体管及其形成方法“,授权公告号CN110620137B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示,一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一...

∪ω∪ 武汉华星光电申请显示面板及显示终端专利,降低驼峰效应的影响,提升...本申请通过在至少部分第一侧壁覆盖功能层,且功能层与第一侧壁的界面缺陷态密度大于主体部与栅绝缘层的界面缺陷态密度,从而使功能层与第一侧壁的界面恶化,抑制边缘部对应的晶体管的开启,从而降低驼峰效应的影响,提升电路的充电能力。