反馈电压大于基准电压

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炬芯科技取得基准电压生成电路、集成芯片和方法专利,得到的目标...金融界2024年4月11日消息,据国家知识产权局公告,炬芯科技股份有限公司取得一项名为“基准电压生成电路、集成芯片和方法“,授权公告号CN115268551B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种基准电压生成电路、集成芯片和方法,用于解决现有技术中基准电压的...

...在MOS管电压高于基准电压时,控制器能够控制驱动电路和MOS管关断所述电压调整电路接入控制电源并分别输出电源到驱动电路、电流检测电路、短路保护电路。本发明通过外置MOS管,可以根据需求搭配不同的MOS管,实现不同负载类型的固体功率控制器,通过短路保护电路在MOS管电压高于基准电压时,控制器能够控制驱动电路和MOS管关断。本文...

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...专利,能够保证现启动完成指示信号有效时,基准电压也达到预设电压基准电压也达到预设电压。所述启动完成指示信号电路,用于根据基准电压的大小产生启动完成指示信号,包括:第一模块,用于接收所述基准电压,并比较所述基准电压与第一预设阈值,并根据比较结果产生第一预备信号;第二模块,用于接收所述基准电压,并比较所述基准电压与第二预设阈值...

炬芯科技取得CN115268552B专利,提高目标基准电压的性能金融界2023年12月20日消息,据国家知识产权局公告,炬芯科技股份有限公司取得一项名为“一种基准电压和基准电流产生电路、集成芯片和方法“,授权公告号CN115268552B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种基准电压和基准电流产生电路、集成芯片和方法,用...

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清华大学申请一种带隙基准电压源高阶温度补偿电路及方法专利,避免...金融界2024年4月12日消息,据国家知识产权局公告,清华大学申请一项名为“一种带隙基准电压源高阶温度补偿电路及方法“,公开号CN117873267A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明提供了一种带隙基准电压源高阶温度补偿电路及方法,具体为:一种带隙基准电压源高阶温...

四维图新申请基准电压检测电路和电子设备专利,实现对电源电压的...所述第一电压信号由电源电压确定;开关模块,其第一端连接至所述反相模块的第一端,其第二端耦合至地,其第一控制端用于输入基准电压信号,其第二控制端用于输入第二电压信号,所述第二电压信号由电源电压确定;其中,所述开关模块响应于所述基准电压信号的电压大于所述基准电压信...

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(ˉ▽ˉ；) 三星取得带隙基准电压生成电路专利,基于电流差输出基准电压金融界2024年4月17日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“带隙基准电压生成电路“,授权公告号CN112835409B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示,一种带隙基准电压生成电路,包括:第一电流生成器,所述第一电流生成器生成第一绝对温度互补(CTAT)电流...

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艾为电子取得带隙基准电压源及电子设备专利,专利技术能有效提高...所述带隙基准电压源在环路补偿时,若使所述带隙基准电压源的次极点等于零点,则达到稳定条件所需的第二电容值远远小于现有技术中的带隙基准电压源所需的补偿电容,由此可得本申请实施例提供的带隙基准电压源的主极点远大于现有技术中的带隙基准电压源的主极点,因此本申请实...

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↓。υ。↓ 韦尔股份申请基准电压电路专利,获得修正了温度依赖性的基准电压金融界2023年11月28日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“基准电压电路”,公开号CN117130422A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本发明的基准电压电路包含:第1电流源,流通第1电流;第2电流源,流通第2电流,所述第2电流相对于所述第1电...

∪▽∪ ...申请一种带隙基准电路专利,实现一阶和高阶温度补偿的带隙基准电压,...本申请涉及一种带隙基准电路,包括启动电路、分段曲率补偿电路、温度系数修调电路、带隙基准电压源电路、偏置电路;所述偏置电路用于提供偏置电流;分段曲率补偿电路用于在温度小于预设温度时产生第一补偿电流,以及在温度大于所述预设温度时产生第二补偿电流;所述温度系数修...