绝缘栅型场效应管制造商_绝缘栅型场效应管作用

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╯▂╰ 海得控制:公司业务不涉及IGBT半导体行业原器件的研发与制造公司回答表示:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,涉... 以满足集中式和组串式储能系统和产品的应用需求。综上,公司是IGBT制造商的下游用户,公司业务不涉及此类半导体行业原器件的研发与制造...

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卓胜微申请绝缘体上硅结构及其制备方法专利,有效减少浮体效应第二栅极与第一栅极在绝缘体上硅衬底的正投影存在交集,且交集区域位于有源层在绝缘体上硅衬底的正投影内部,第二栅极电连接至第一栅极。本申请将位于埋氧层内的第一栅极同第二栅极进行连接,使得二者电位相同,从而达到对体区电势的控制,有效减少浮体效应。同时,可以使得栅极...

北京大学取得二维半导体垂直场效应晶体管阵列专利,可实现纳米尺度...本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜,二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触,沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定;本发明不需要采用电子束曝光、深紫外光刻和极深紫外光刻等方法,即能够制...